GB芯片定义和特点
定义：Glue Bonding(粘着结合)芯片;该芯片属于UEC的专i利产品。
特点：
(1)透明的蓝宝石衬底取代吸光的GaAs衬底，其出光功率是传统AS(Absorbable structure)芯片的2倍以上，蓝宝石衬底类似TS芯片的GaP衬底。
(2)芯片四面发光，具有出色的Pattern图。
(3)亮度方面，其整体亮度已超过TS芯片的水平(8.6mil)。
(4)双电极结构，其耐高电流方面要稍差于TS单电极芯片。
LED芯片的分类有哪些呢？
TS芯片定义和特点
定义：transparent structure(透明衬底)芯片，该芯片属于HP的专i利产品。
特点：
(1)芯片工艺制作复杂，远高于AS LED。
(2)信赖性卓i越。
(3)透明的GaP衬底，不吸收光，亮度高。
(4)应用广泛。
AS芯片定义与特点
定义：Absorbable structure (吸收衬底)芯片;经过近四十年的发展努力，台湾LED光电业界对于该类型芯片的研发、生产、销售处于成熟的阶段，各大公司在此方面的研发水平基本处于同一水平，差距不大。
大陆芯片制造业起步较晚，其亮度及可靠度与台湾业界还有一定的差距，在这里我们所谈的AS芯片，特指UEC的AS芯片，eg：712SOL-VR， 709SOL-VR， 712SYM-VR，709SYM-VR等。
特点：
(1)四元芯片，采用MOVPE工艺制备，亮度相对于常规芯片要亮。
(2)信赖性优良。
(3)应用广泛。
LED芯片材料磊晶种类
1.LPE：Liquid Phase Epitaxy(液相磊晶法) GaP/GaP
2.VPE：Vapor Phase Epitaxy(气相磊晶法) GaAsP/GaAs
3.MOVPE：Metal Organic Vapor Phase Epitaxy (有机金属气相磊晶法) AlGaInP、GaN
4.SH：GaAlAs/GaAs Single Heterostructure(单异型结构)GaAlAs/GaAs
5.DH：GaAlAs/GaAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAs
6.DDH：GaAlAs/GaAlAs Double Heterostructure(双异型结构) GaAlAs/GaAlAs
Led模组的产品特性：
特性1：高能效 高流明输出，极低光衰。
特性2：紫外线及红外线辐射几乎为零。
特性3：防尘防雨，防护等级达到IP66。
特性4：大视角发光，满足不同视距及正视和侧视时发光强度,需一致的视觉要求。
LED模组应用范围
外发光标识 、立体字，笔划繁复的面板发光字 、灯箱等。
希望以上的讲解，对您有所帮助，感谢您的支持。
以上信息由专业从事led外延片价格的杰生半导体于2025/2/13 22:37:48发布
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