在晶片上生长为外延片的步骤：
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD）,目前主流方式为 MOCVD，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
我们平常所见到的电子芯片，比如arm芯片、ASIC芯片、FGPA芯片等，跟LED芯片主要有什么区别？LED芯片是不是只是把一大堆能发光的二极管布在晶圆上呢？LED芯片有没有28nm、14nm这样的制程的说法呢？
蕞大的不同是：1，材料不一样，前者为硅基，后者为三五族化合物；2，前者是集成器件，后者是分立器件；3，后者对材料缺陷率要求更高。
电子芯片长在硅衬底上，中间各种光刻、刻蚀、掺杂、长膜、氧化等都以硅或二氧化硅材料为主；而LED长在蓝宝石（Al2O3）、SiC或Si衬底上，缓冲层后长成后，再长N型GaN层和P型GaN层，中间一层多量i子阱发光层。电流经过PN结时因为电势能的变化将多余的能量以光的形式散发出去，不同的电势能差则光的能量也有不同，表现就是不同的发光颜色（如蓝光、红光LED，红光能量低技术简单，很多年以前就出来了；蓝光LED能量高，难度大。蓝光LED激发黄色荧光粉可产生白光）
电极加工也是制作LED芯片的关键工序，包括清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨;然后对衬底进行划片、测试和分选，就可以得到所需的LED芯片。
如果晶片清洗不够干净，蒸镀系统不正常，会导致蒸镀出来的金属层(指蚀刻后的电极)会有脱落，金属层外观变色，金泡等异常。
蒸镀过程中有时需用弹簧夹固定晶片，因此会产生夹痕(在目检必须挑除)。黄光作业内容包括烘烤、上光阻、照相曝光、显影等，若显影不完全及光罩有破洞会有发光区残多出金属。晶片在前段制程中，各项制程如清洗、蒸镀、黄光、化学蚀刻、熔合、研磨等作业都必须使用镊子及花篮、载具等，因此会有晶粒电极刮伤情形发生。
以上信息由专业从事led外延片价格的杰生半导体于2024/4/26 11:24:32发布
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